성균관대-GIST 공동연구팀, 차세대 수직 트랜지스터 개발
성균관대 나노과학기술원(SAINT) 강보석 교수 연구팀은 광주과학기술원(GIST) 김현호 교수 연구팀과의 공동연구를 통해 차세대 반도체 소자인 수직 트랜지스터의 성능을 크게 향상시키는 새로운 구조를 개발했다고 13일 밝혔다.
연구팀은 원자 4~5개 수준 두께의 매우 얇은 채널을 가진 수직 트랜지스터에서 최대 12만8000의 점멸비(on/off ratio)를 구현했다.
강 교수는 "이번 연구는 수직 트랜지스터에서 오랫동안 해결되지 않았던 누설전류 문제를 근본적으로 해결한 사례"라고 설명했다.
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