삼성 전직 임원·연구원, 中 반도체사에 핵심기술 유출 혐의 구속기소
삼성전자 전직 임원과 연구원들이 국가 핵심기술을 중국 반도체 회사에 유출해 현지에서 18나노 D램 개발에 관여한 혐의로 재판에 넘겨졌다.
검찰에 따르면 이들은 삼성전자 퇴직 뒤 중국 반도체 기업 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지) ‘2기 개발팀’에 합류해 불법 유출된 삼성전자의 18나노급 D램 공정 기술을 이용, 개발을 완수한 혐의를 받는다.
앞서 검찰은 같은 회사 ‘1기 개발팀’에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모 씨와 연구원 출신 전모 씨를 이미 구속기소 했다.
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