검찰, '中에 기술 유출' 혐의 삼전 前직원들 구속 기소
검찰이 중국 기업으로 이직한 후 국가 핵심 기술을 부정하게 사용해 제품을 개발한 혐의를 받는 전직 삼성전자 직원들을 구속 상태로 재판에 넘겼다.
이들은 중국 청신메모리반도체(CXMT)로 이직한 후 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심 기술을 부정 사용해 D램을 개발한 것으로 조사됐다.
전직 삼성전자 관계자들이 중국 기업을 위해 사용한 국가 핵심 기술은 삼성전자가 1.6조원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정 기술이다.
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