SK하이닉스가 연이어 세계 최초 타이틀을 가져가고 있는 사이, 삼성전자는 고성능으로 승부를 걸고 있다.
SK하이닉스가 삼성전자보다 단계별로 수개월 빠른 진행도를 보이고 있다면 삼성전자는 D1c 램 적용으로 보다 고성능의 HBM4에 도전하고 있다.
삼성전자가 개발 중인 HBM4 1c 나노공정은 SK하이닉스의 HBM4 1b 나노공정보다 더 미세하고 개선된 공정으로, 회로 설계 최적화로 전력 소비를 줄이면서 속도 등 성능은 더 높은 것으로 알려졌다.
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