숭실대 유건욱 교수 연구팀, 차세대 GaN 메모리 기술 개발
숭실대는 본교 전자정보공학부 유건욱 교수 연구팀이 차세대 갈륨 나이트라이드(GaN) 기반 메모리 소자를 개발했다고 12일 밝혔다.
이번 성과는 2023년 연구팀이 발표한 '재구성 가능한 AlScN/GaN 단일 트랜지스터 로직 소자' 연구를 확장해 GaN 기반 메모리 응용으로 발전시킨 결과다.
이번 연구는 GaN 반도체가 데이터센터·모빌리티·AI 인프라 전반을 견인할 차세대 핵심 기술로 도약할 수 있음을 보여준다.
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