DB하이텍, 차세대 전력반도체 공정 개발 마무리

DB하이텍이 전기차 충전기, 데이터센터 전력변환기 등에서 활용도가 높은 차세대 전력반도체인 650V 전계모드(E-Mode) 갈륨나이트라이드(GaN) 고전자이동도 트랜지스트(HEMT) 공정 개발을 마무리 지었다고 11일 밝혔다.

이번에 DB하이텍이 개발한 650V E-Mode GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다.

DB하이텍은 시장이 초기 단계이던 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다.