엔비디아, 자체 HBM메모리 베이스다이 설계 추진. SK하이닉스에 타격

엔비디아가 3nm 공정 기반으로 자체 HBM 메모리 베이스 다이(Base Die)를 개발한다.

엔비디아는 ’베이스 다이‘ 개발을 2026년 말까지 완료한 뒤 2027년 상반기에 TSMC의 12nm 공정에서 SK하이닉스가 공급하는 표준 HBM4e를 먼저 채택한 후, 2027년 하반기부터 2028년까지 맞춤형 HBM4e 설계로 전환해 TSMC 3nm 공정 노드에서 대량 생산한다는 계획이다.

매체는 SK하이닉스가 현재 엔비디아의 ’베이스 다이‘를 독점 설계함으로써 엔비디아 HBM 공급을 장악하고 있지만 이 공정이 도입되면 SK하이닉스에 상당한 타격이 있을 것으로 예상된다고 밝혔다.