인하대 신소재공학과 연구팀, 텔루렌 나노필름으로 ‘3단 논리 구현’

(왼쪽부터)인하대 신소재공학과 허지훈 석사과정생, 김유나 석사과정생, 이문상 교수, 함명관 교수/제공=인하대 인하대학교는 이문상·함명관 신소재공학과 교수 연구팀이 최근 20nm(나노미터) 두께의 텔루렌(Tellurene) 나노필름을 이용해 전통적인 이진법(0·1)을 넘어 세 단계(0·1·2) 출력을 구현하는 3진 트랜지스터 인버터 회로를 성공적으로 시연했다고 3일 밝혔다.

다치 논리를 적용하면 하나의 회로 소자가 2개 이상(3진·4진 등)의 값을 표현해 회로를 단순하게 만들 수 있고, 전력 소모도 줄일 수 있다.

이문상 인하대 신소재공학과 교수는 "이번 연구는 다치 논리 소자를 단일 2D 소재로 구현한 최초의 사례로, 후속 다치 컴퓨팅 아키텍처 연구의 핵심 토대가 될 것"이라며 "텔루렌의 고유 앰비폴라 특성이 다치 논리의 물리적 한계를 재정의했다는 점에서 학문적 의의가 크다"고 말했다.