삼성전자, 10나노급 6세대 D램 개발…HBM4 반전 노린다
삼성전자가 10나노급 6세대(1c) 공정을 적용한 D램 개발에 성공했다.
10나노급 D램 공정은 1x(1세대), 1y(2세대), 1z(3세대), 1a(4세대), 1b(5세대), 1c(6세대) 순으로 개발되고 있다.
앞서 삼성전자는 2022년 12월 5세대(1b) D램을 개발하고 이듬해 5월 양산을 발표한 바 있다.
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