서울시립대, 그래핀 장벽층 활용 '고신뢰성 유연 메모리 소자' 개발

서울시립대는 공학연구원 반도체연구센터의 김윤, 박동욱 교수 공동연구팀이 그래핀 확산 장벽을 도입한 유연 유기물 기반 저항변화 메모리(RRAM) 소자를 개발해 차세대 유연 신경모방 시스템 구현을 위한 고신뢰성 메모리 기술을 확보했다고 17일 밝혔다.

뉴시스 보도에 따르면, 연구팀은 유연 양이온 기반 RRAM 소자에서 전도성 필라멘트의 과성장으로 인한 신뢰성 저하 문제를 해결하기 위해, 저항 스위칭 층(Parylene-C)과 비활성 전극(Pt) 사이에 그래핀 확산 장벽을 도입했다.

공동연구팀은 "이번 연구에서는 유연 유기물 기반 메모리 소자의 신뢰성 문제를 개선하기 위해 저항 스위칭 층과 불활성 전극 사이에 그래핀 장벽층을 도입하는 방식을 새롭게 적용했다"고 설명했다.