“20나노가 끝이라더니”···SK하닉, 미래 30년 여는 차세대 D램 기술 소개
SK하이닉스가 기술 한계를 뛰어넘는 구조·소재 혁신을 통해 지속 가능한 미래를 실현하겠다는 방향성을 제시했다.
행사 3일 차 일본 교토에서 열린 심포지엄 기조연설에서 차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장(CTO)은 ‘지속 가능한 미래를 위한 D램 기술의 혁신 주도’를 주제로 발표에 나섰다.
4F² VG 플랫폼은 셀 면적을 줄이고 수직 게이트 구조를 적용해 고집적·고속·저전력 특성을 동시에 구현하는 기술이다.
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