SK하이닉스, D램 미래 기술 로드맵 발표…30년 이끈다

SK하이닉스(000660)가 일본 교토에서 8~12일 진행되는 IEEE VLSI 심포지엄 2025에서 향후 회사의 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공식 발표하며 지속 가능한 혁신 방향성을 제시했다.

그는 “현재의 테크 플랫폼(여러 세대 적용 가능한 기술적인 틀)을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다”며 “이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG(수직 게이트) 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다”고 밝혔다.

차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다“며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다.