동국대, '저장·리드아웃 동시 수행' 3D 수직 적층형 메모리 소자 개발
동국대는 전자전기공학과 김성준 교수 연구팀이 서로 다른 하부 전극(W, TiN)을 적용해 휘발성 및 비휘발성 메모리 특성을 동시에 구현할 수 있는 3D 수직형 저항 변화 메모리(VRRAM) 소자를 개발했다고 16일 밝혔다.
뉴시스 보도에 따르면, 이번에 개발된 3D 수직형 VRRAM 소자는 하나의 소자 내에서 RC 시스템의 저장(reservoir) 기능과 리드아웃(readout) 기능을 동시에 수행할 수 있는 구조를 가진다.
연구팀은 기존 2D 메모리의 한계를 극복하고 3D 수직 적층 구조를 적용해 집적도를 대폭 향상했다.
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