동국대, 6비트 구현하는 3D VRRAM 소자 개발

동국대는 전자전기공학과 나혜성 석사과정생과 김성준 교수로 구성된 연구팀이 정밀한 펄스 프로그래밍 기법을 활용해 수직 적층형 저항성 메모리(VRRAM) 소자에서 6비트(64단계)의 세분화 상태를 구현하는 데 성공했다고 밝혔다.

또한 연구팀은 구현된 각 상태에 대해 내구성과 유지력을 실험적으로 검증함으로써 정밀 멀티레벨 메모리 소자의 실용 가능성과 신뢰성을 입증했다.

김 교수는 "나혜성 학생이 서울대 반도체공동연구소와 동국대 MINT 팹 장비를 활용해 직접 소자를 제작하고 연구실 내 Keithley 측정장비를 통해 ISPVA 알고리즘을 적용해 다층 상태를 구현했다"며 "이번 연구는 고신뢰 멀티비트 메모리 구현의 중요한 이정표가 될 것"이라고 밝혔다.