검찰, '삼성전자 반도체 핵심기술 유출' 공범 구속기소
삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁사에 유출한 혐의로 징역 7년을 선고 받은 삼성전자 전 직원 사건과 관련해 검찰이 공범 1명을 추가로 재판에 넘겼다.
검찰에 따르면 전씨는 삼성전자에서 중국 반도체 제조업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직한 후 삼성전자가 1조6000억원을 들여 개발한 18나노 D램 공정 정보를 무단 유출해 사용한 혐의를 받는다.
전씨의 혐의는 마찬가지로 삼성전자 D램 공정기술을 무단 유출한 혐의로 삼성전자 전 부장 출신 김모씨를 구속 기소한 사안에서 추가 수사를 하다가 발견됐다.
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