“더 작고 빠른 저전력 반도체”… 차세대 소재 저온 결함 제거 성공

울산과학기술원(UNIST) 전기전자공학과 권지민 교수팀과 포스텍(POSTECH) 화학공학과 노용영 교수팀은 차세대 반도체 소재인 이황화몰리브덴(MoS2)의 결함을 200℃에서 제거하는 기술을 성공적으로 개발했다고 30일 밝혔다.

제1저자인 정학순 박사는 “결함 복구가 200℃ 이하에서 일어나기 때문에 기존 실리콘 반도체 BEOL 공정과 호환이 가능하다는 것이 가장 큰 장점”이라고 설명했다.

권지민 교수는 “공정에서 발생하는 황 결함은 나노스케일의 첨단 노드를 겨냥한 반도체 소자에서 큰 문제”라며, “이번에 개발한 저온 황 결함 회복 기술을 통해 앞으로 이황화몰리브덴뿐만 아니라 다양한 차세대 반도체 소재의 결함 회복과 계면 특성 개선 연구를 더욱 확장할 계획”이라고 밝혔다.