현대모비스, 車반도체 내재화 속도···美실리콘밸리 연구거점 신설

현대모비스는 시스템반도체 역시 전략 제품의 반도체 독자 설계 역량은 강건화 하되, 그 밖의 반도체는 별도의 생태계를 구축해 수급 대응력도 향상시킨다는 방침이다.

현대모비스는 중장기 반도체 연구개발 전략에 따라 내년에는 실리콘 기반 고전력 반도체(Si-IGBT)를, 오는 2028년과 2029년에는 각각 차세대 배터리관리 IC와 실리콘카바이드 기반 전력반도체(SiC-MOSFET) 양산을 목표로 연구개발 역량을 집중하고 있다.

현대모비스는 올해 글로벌 반도체 기업과 협업을 강화하고 해외 우수인재 확보를 위해 미국 실리콘밸리에 전문 연구 거점을 신설한다.