"삼성, D램 근원 기술력 최우선…6세대 HBM4서 반전 이뤄야"

특히 수요가 많은 인공지능(AI)향 HBM 등에서 주도권을 확보해야 하는데, 차세대 HBM4에서 반전을 이루려면 기본으로 돌아가 10㎚(나노미터·10억분의 1m)급 5세대(1b) D램을 개선하고 6세대(1c) D램에서 높은 기술력을 증명해 HBM4에서 치고 나가야 한다는 게 주된 목소리다.

◇근본적인 D램 기술력 회복이 핵심 김형준 단장은 “HBM3E 역시 삼성이 조만간 (엔비디아로부터) 퀄(품질) 테스트를 통과할 것으로 본다”며 “HBM이 결국은 1b 나노 기반 D램의 문제이기 때문에 삼성은 이를 해결해야 한다”고 조언했다.

이종환 상명대 시스템반도체공학과 교수는 “삼성전자는 게이트올어라운드(GAA) 공정을 해봤기 때문에 가능성이 있다”며 “AI 반도체에서 메모리(HBM)와 파운드리 2나노 공정을 결합하는 시너지 효과를 내야 한다”고 말했다.