KAIST, 실리콘 한계 넘는 양극성 반도체 소자 개발
KAIST는 전기및전자공학부 이가영 교수 연구팀이 나노 반도체 인듐 셀레나이드(InSe) 기반 혁신적인 양극성 다기능 트랜지스터를 개발했다고 30일 밝혔다.
이번에 공개된 양극성 반도체 소자는 N형과 P형 트랜지스터에 모두 적용이 가능하다.
실리콘 반도체 소자의 경우 일반적으로 108 이하 꺼짐·켜짐 비의 단극성 구동을 띄며, N형과 P형 구동이 동시에 가능한 양극성 2차원 반도체의 경우도 N형과 P형 꺼짐/켜짐 비가 동시에 108 이상인 경우는 없었다.
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