인텔 파운드리가 IEDM 2024에서 AI와 고성능 컴퓨팅을 위한 차세대 반도체 기술을 발표하며 미래 기술 비전을 제시했다.
트랜지스터 기술에서는 GAA(Gate-All-Around) 스케일링을 기반으로 한 실리콘 리본펫(RibbonFET) CMOS 트랜지스터와 GAA 2D FET를 위한 게이트 산화물 기술이 발표됐다.
GaN-on-TRSOI 기반의 MOSHEMT 기술은 실리콘 대비 더 높은 성능과 전압, 온도 내성을 제공하며, RF 및 전력 애플리케이션에서 신호 선형성을 개선하고 손실을 줄인다.
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