성균관대 김한기 교수, 차세대 2차원 MoS2 반도체 대면적 성장기술 세계최초 개발
성균관대학교(총장 유지범) 신소재공학부 김한기 교수 연구팀이 차세대 반도체로 주목받는 2차원 MoS2 반도체를 대면적으로 구현할 수 있는 새로운 기술을 세계 최초로 개발했다고 6일 밝혔다.
기존 기술로는 어려웠던 6인치 Si 기판에서의 MoS2 성막 구현이 이 기술로 가능해졌다.
연구팀은 조선대 권민기 교수팀과 협력해 IPSD 기술을 활용해 개발한 MoS2 반도체를 기반으로 고성능 습도센서를 제작했다.
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