김춘환 SK하이닉스 부사장 "TSV가 HBM 핵심 경쟁력"

김춘환 SK하이닉스 부사장(R&D공정 담당)이 "실리콘관통전극(TSV)은 현재 MR-MUF와 함께 고대역폭메모리(HBM)의 핵심 경쟁력이 됐다"고 강조했다.

앞서 SK하이닉스는 지난 2009년 고성능 메모리 수요가 증가할 것으로 보고 TSV 기술에 주목, HBM 개발에 약 4년을 공들인 결과 2013년 12월 첫 HBM을 세상에 내놓았다.

TSV는 칩에 미세한 구멍을 뚫어 상·하단 칩을 전극으로 연결하고 적층해 고용량, 고대역폭을 구현하는 기술이다.1992년 SK하이닉스에 입사한 김 부사장은 HBM의 핵심인 TSV 요소기술을 개발하는 데 크게 기여해 HBM 공정의 기틀을 마련한 것으로 평가받는다.