국내 반도체 기업들은 레거시(구형) D램 생산량은 줄이는 대신 D램 주력 상품으로 볼 수 있는 고대역폭메모리(HBM) 등 선단 공정 생산에 집중함에 따라 중국 공장 역할은 점차 축소할 전망이다.
SK하이닉스는 아울러 올해 1월에도 중국 우시 공장 생산라인의 1a 나노 전환을 통해 DDR5, LPDDR5 등 제품 양산이 가능하도록 전환하겠다는 계획을 밝힌 바 있다.
D램 첨단 공정에서 극자외선(EUV) 노광장비가 필요한데, 국내 반도체 기업들은 EUV 공정을 진행할 때 중국 공장에서 한국으로 제품을 실어 와서 공정을 한 이후 다시 중국 공장으로 옮기는 식으로 D램을 생산한다.
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