연구진은 후면 전력 공급 기술과 후면 직접 접촉 기술을 적용한 3D 적층형 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS) 기술을 공개했다.
인텔 컴포넌트 리서치 그룹은 트랜지스터 적층 기술 및 보다 많은 수의 트랜지스터에 전력을 확대 공급하고 성능을 개선하도록 향상된 후면 전력 공급 기술을 통해 엔지니어링 혁신을 지속 업그레이드하고 있으며, 서로 다른 소재로 제작된 트랜지스터를 한 개의 웨이퍼에 통합할 수 있는 역량에 대해 혁신이라는 단어로 일축했다.
3D 적층형 CMOS 트랜지스터는 업계 최초로 게이트 피치를 60nm까지 감소시킨 상보형전계효과트랜지스터(CFET)를 수직으로 쌓아 올려 공간 효율성을 크게 높이고 성능을 향상시켰다.
뉴스픽의 주요 문장 추출 기술을 사용하여 “위클리 포스트” 기사 내용을 3줄로 요약한 결과입니다. 일부 누락된 내용이 있어 전반적인 이해를 위해서는 본문 전체 읽기를 권장합니다.