삼성전자, 2027년 1.4나노 반도체 양산…“파운드리 초격차 나서”
삼성전자는 △파운드리 기술 혁신 △응용처별 최적 공정 제공 △고객 맞춤형 서비스 △안정적인 생산 능력 확보 등을 앞세워 파운드리 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다고 다짐했다.
삼성전자는 공정 혁신과 동시에 2.5D/3D 이종 집적(Heterogeneous Integration) 패키징 기술 개발도 가속화한다.
특히, 삼성전자는 3나노 GAA 기술에 삼성 독자의 ‘다중가교채널트랜지스터(MBCFET·Multi Bridge Channel FET)’ 구조를 적용하는 한편 3D IC 솔루션도 제공하며 고성능 반도체 파운드리 서비스를 제공한다는 방침이다.
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