[조성준의 스케치]HBM 경쟁력 좌우할 '1c D램', 3사 전력 다른 이유는
기존 1a, 1b 대비 트랜지스터 크기를 줄이고 EUV 공정 비중을 확대해 고집적·저전력 특성을 확보하기 위함이다.
삼성전자는 5세대인 HBM3E의 양산 시점에서 SK하이닉스에 선두를 빼앗겼다.
SK하이닉스는 이미 지난해 8월 10나노급 6세대(1c) DDR5 D램을 개발했다고 발표한 바 있다.
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