[엠투데이 이상원기자] SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설에 2030년까지 21조6천억 원을 투입한다. 기존 초기 투자금까지 합치면 31조 원이 넘는 금액이 투자된다.
SK하이닉스는 25일 공시를 통해 용인 반도체클러스터 1기 팹에 대한 신규 시설에 총 21조6천억 원의 투자를 진행하기로 이사회에서 최종 승인했다고 밝혔다. 반도체 수요 확대에 따른 인프라 구축을 위한 것으로, 용인 반도체 클러스터 1기 팹 2~6구역 건설이 2030년 말까지 진행된다.
SK하이닉스 용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만제곱미터(㎡) 규모로 조성되며, 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개가 건설될 예정이며, 2046년까지 총 120조원 이상이 투자된다.
1기 팹은 초기 시설투자비 약 9조4천억 원이 투입, 2025년 2월부터 건설작업이 시작됐다. 1기 팹은 총 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성되며, 현재 골조 공사를 마무리하고 전체 클린룸을 구축작업이 진행되고 있다.
이번 투자 결정과 함께 클린룸 1차 가동 시점도 앞당겨졌다. 기존 계획은 2027년 5월이었으나, 이번 클린룸 면적 확대 및 투자 확대를 통해 2027년 2월로 약 3개월 조기 가동될 예정이다.
용인 반도체 클러스터는 SK하이닉스가 반도체 산업의 미래 경쟁력을 강화하기 위해 추진하는 초대형 반도체 생산 허브로, DRAM과 HBM(고대역폭 메모리) 중심의 첨단 메모리 반도체가 생산될 예정이다.
SK하이닉스는 이번 투자를 통해 글로벌 고객 수요에 선제적으로 대응하고 안정적인 공급 체계를 한층 강화한다는 방침이다.
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