HBM3E锁定明年市场 HBM4决战序幕全面拉开

22日，在首尔江南区COEX举行的“半导体大展2025”上，三星电子展示了第六代高带宽存储器HBM4和HBM3E。【图片来源 韩联社】

在第五代高带宽存储器HBM3E持续主导市场格局的背景下，随着英伟达计划于明年下半年推出下一代人工智能（AI）加速器“Rubin”，第六代产品HBM4的市场预计将正式启动，SK海力士与三星电子之间的主导权竞争或将进一步激化。

据业界28日消息，搭载HBM3E的英伟达Blackwell系列目前占据AI芯片市场的主要份额，加之H200对华出口有望启动，HBM3E预计至少在2026年前仍将维持在整体HBM市场中的主体地位。同时，随着谷歌、博通、微软、亚马逊云服务等定制芯片（ASIC）厂商对HBM3E的需求持续增长，HBM3E市场规模有望进一步扩大。LS证券分析指出，明年HBM3E在整体HBM产量中的占比预计为66%，虽较今年的87%下降21个百分点，但仍将占据一半以上份额。

SK海力士凭借在HBM3E早期量产及向主要客户供货方面的领先优势，目前以约60%的市占率位居HBM市场首位，不仅承担英伟达大部分订单，也为多家ASIC厂商提供HBM3E产品，市场主导地位短期内有望继续保持。

同时，市场关注焦点正逐步转向下一代产品HBM4。HBM4在性能、制程技术及基板芯片应用等方面均实现进一步升级。若英伟达Rubin成为首款搭载HBM4的产品，HBM4市场预计将于2027年全面展开。作为Blackwell架构的后继平台，Rubin定位为高性能AI计算平台，旨在提升推理与训练效率。此外，谷歌第八代TPU、亚马逊Trainium4以及微软Maia 300均计划采用HBM4，并有望在2027年面世。据此预测，HBM4出货量将于2027年超越HBM3E。

三星电子对在HBM4市场展现出强烈信心。三星电子计划在HBM4中采用基于三星代工4纳米工艺的基板芯片，以及10纳米级第六代(1c)DRAM工艺。据悉，其内部技术评估已实现每秒11.7吉比特的业界最高性能水平。相比之下，SK海力士则采用台积电12纳米基板芯片与第五代10纳米级DRAM工艺。近期，三星电子在英伟达HBM4系统级封装测试中获得最高评分，被业界视为HBM4供货前景向好的积极信号。三星电子计划于明年初正式启动HBM4的量产工作。

市场对三星电子的业绩预期也相应上调。全球投资银行野村证券在最新报告中预测，三星电子明年营业利润有望达约133万亿韩元（约合人民币6446.9亿元）。野村证券分析指出，三星电子预计将较HBM3E更集中资源于通用存储器及HBM4的生产，新增产能中将有相当部分分配给HBM4所需的1c制程，且英伟达的质量认证有望于明年1月前完成。