内存市场或迎超长上涨周期 行业预期涨势延续至2028年

14纳米DDR5 DRAM【图片来源 三星电子】

在当前内存供应持续紧张、价格大幅攀升的市场环境下，业界普遍认为，本轮内存价格上涨周期将远超此前预期，或将延续至2028年。

据业界18日消息，以DDR4、DDR5为代表的通用型动态随机存取存储器（DRAM）价格仍将进一步上涨，预计将在明年年中达到阶段性高点。数据显示，截至上月，个人计算机（PC）通用型DRAM产品（DDR4 8Gb 1G×8）单价突破8美元，创近七年两个月以来的最高纪录。DDR5 16Gb（2G×8）价格亦从今年5月的5.5美元大幅跃升至上月的20美元水平。

全球市场研究机构Counterpoint预测，到明年第二季度，内存价格还将累计上涨40%以上。进入今年以来，通用型内存价格呈罕见的快速上行趋势，业内普遍预期，明年价格上涨步伐可能进一步加快，部分产品价格甚至存在翻倍的可能性。

同时，随着全球主要内存制造商为应对人工智能（AI）领域的需求增长，将产能向高带宽内存（HBM）倾斜，通用型内存的供应预计将持续收紧。此前，行业曾预测，随着产能逐步释放，内存价格或在2027年出现回落，但近期市场观点已对此进行修正。

分析认为，内存市场供需失衡的局面预计至少持续至2027年底，且不排除2028年价格仍维持高位运行的可能性。全球信息技术专业媒体WCCF Tech指出，直至2027年，内存价格将保持持续上涨态势，甚至2028年市场仍然可能表现强劲。

业内普遍认为，随着内存制造商将设备与投资资源逐步集中于高性能内存产品，通用型内存进入供应受限的发展阶段。此前，美国内存制造商美光科技（Micron）已决定退出消费级内存业务，此举可能进一步导致通用型内存供应规模收缩。

三星电子整体DRAM产能中，约70%为通用型DRAM产品，因此被视为本轮内存价格上涨周期中的主要受益企业。三星电子表示，将根据市场需求动态调节HBM与通用型DRAM的生产比例。为应对持续增长的内存需求，三星电子决定重启位于平泽园区第二阶段第五生产线的建设项目，并计划在该生产线同步生产HBM的与DDR5产品。该生产线预计将于2028年正式投入运营。专家指出，AI需求正在深刻重构内存市场的产业格局，通用型内存有望发展成为可与HBM媲美的高收益产品线。