[엠투데이 최태인 기자] 삼성전자가 6세대 고대역폭 메모리(HBM4)의 내부 품질 테스트를 최종 마무리한 것으로 알려졌다.
4일 반도체 업계에 따르면, 삼성전자는 지난 2일 HBM4에 대한 '생산 준비 승인(PRA·Production Readiness Approval)'을 완료했다. PRA는 삼성전자 내부적으로 품질을 최종 승인하는 단계로, 통상 이 과정을 거치면 제품 개발이 사실상 마무리되고 양산이 가능한 상태로 평가된다.
이로써 삼성전자는 올해 안에 HBM4 PRA를 마치고 양산 체제를 갖추겠다는 당초 목표를 달성하며, 즉각적인 대량 양산이 가능한 기술적 기반을 확보했다.
HBM4는 내년에 시장이 본격 열리는 제품이다. 엔비디아 등 고객사의 고성능 제품 납품 요청을 충족하기 위해 기존 HBM과 달리 두뇌 역할을 하는 로직다이를 파운드리(반도체 수탁생산) 공정에서 만드는 것이 특징이다.
삼성전자는 HBM4 개발 과정에서 경쟁사와 격차를 좁히기 위해 과감한 기술적 승부수를 택했다. 전작인 HBM3E 퀄테스트에서 불거진 발열과 성능 문제를 해결하고자 설계를 대폭 변경한 것이다.
이를 위해 10나노급 6세대(1c) D램을 코어 다이로 사용하고, 4nm 파운드리 공정을 적용한 로직 다이를 결합해 베이스 다이 성능을 끌어올렸다. 이를 통해 '동작 속도 초당 11기가비트(Gb) 이상'을 업계 최초로 달성했다. HBM4는 D램 공정 기술뿐 아니라, 베이스 다이 설계 능력과 실리콘 관통 전극(TSV) 정렬 정확도 등 고난도 기술이 요구되는 제품이다.
지난달 26일 열린 '국제고체회로학회(ISSCC) 2026'에서는 36기가바이트(GB) 용량과 초당 3.3테라바이트(TB)의 대역폭(데이터 처리 능력)을 갖춘 HBM4를 공개하기도 했다.
현재 삼성전자는 엔비디아 등 주요 고객사에 HBM4 샘플을 보내 품질 테스트를 받고 있으며, 이르면 이달 중 긍정적인 결과를 받을 것으로 기대하고 있다. 또 HBM4 품질 인증을 받는 대로 공급량을 늘릴 수 있는 대량 생산 체제를 갖춘 것으로 알려졌다.
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