SK하이닉스, 차세대 낸드 스토리지 제품 전략 발표···‘고성능·고용량·고대역폭’ 특화

▲ 김천성 SK하이닉스 부사장(eSSD Product Development 담당)이 차세대 낸드 스토리지 설루션 전략에 대해 발표를 진행하고 있다. 사진=SK하이닉스

투데이코리아=김준혁 기자 | SK하이닉스가 미국 현지에서 AI 관련 상황별 맞춤 차세대 낸드 저장장치 설루션을 공개했다.
 
SK하이닉스가 지난 13~16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 열린 ‘2025 OCP(Open Compute Project) 글로벌 서밋’에 참여해 차세대 낸드 스토리지 제품 전략을 발표했다고 27일 밝혔다.
 
회사 관계자는 “AI 추론 시장이 급성장하면서 많은 데이터를 신속하고 효율적으로 처리할 수 있는 낸드 스토리지 제품 수요가 크게 확대되고 있다”며 “이에 AIN(AI-NAND) 패밀리 라인업을 구축해 AI 시대에 최적화된 설루션 제품으로 고객들의 수요를 충족시키겠다”고 말했다.
 
구체적인 AIN 패밀리 전략은 김천성 SK하이닉스 부사장의 이그제큐티브 세션 발표를 통해 발표됐다.
 
AIN 패밀리는 ‘P(Perfomance·성능)’, ‘B(Bandwidth·대역폭)’, ‘D(Density·용량)’ 각 측면에서 최적화된 낸드 설루션 제품으로, 데이터 처리 속도 향상 및 저장 용량 극대화를 구현한 것이 특징이다.
 
먼저 AIN P 제품은 대규모 AI 추론 환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리하며, 이에 처리 속도 및 에너지 효율의 대폭 향상이 기대되고 있다.
 
회사 측은 이를 위해 낸드 및 컨트롤러를 새 구조로 설계해 2026년말 샘플을 출시한다는 계획이다.
 
반면 AIN D는 대용량 데이터의 저전력, 저비용 저장을 위한 제품으로 AI 데이터 보관에 초점을 뒀으며, 기존 QLC 기반 TB(테라바이트)급 SSD 대비 용량을 최대 PB(페타바이트)급으로 높였다.
 
회사는 이를 SSD의 속도와 HDD의 경제성 사이의 중간 계층 스토리지를 노린다는 방침이다.
 
마지막 AIN B는 낸드를 적층해 대역폭을 확대한 설루션으로, ‘HBFTM’ 기술을 적용했다.
 
HBF(Hign Bandwith Flash)는 디램을 적층해 만든 HBM(고대역폭메모리)와 유사하게 낸드 플래시를 적층해 만든 제품이다.
 
특히 회사는 AI 추론 확대, LLM(거대언어모델) 대형화에 따른 메모리 용량 부족 문제 해결을 위해 AIN B 제품 개발에 나서왔으며, HBM과 함께 배치해 용량 문제 보완 등을 검토 중인 것으로 알려졌다.
  
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “이번 OCP 글로벌 서밋과 HBF Night을 통해 AI 중심으로 급변하는 시장 환경에서 ‘글로벌 AI 메모리 설루션 프로바이더’로 성장한 당사의 현재와 미래를 선보일 수 있었다”며 “차세대 낸드 스토리지에서도 고객과 다양한 파트너와 협력해 AI 메모리 시장의 핵심 플레이어로 올라설 수 있도록 할 것”이라고 말했다.