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[프라임경제] 반도체 장비 전문기업 아이에스티이(212710)는 중소기업기술정보진흥원이 추진하는 '반도체 3D 적층을 위한 첨단 패키징 소재 기술개발' 국책과제의 주관연구기관으로 선정돼 연구개발 협약을 완료했다고 25일 밝혔다.
이번 국책과제는 '중소기업기술혁신개발사업'으로 중소기업기술 정보진흥원이 주관하고, 아이에스티이·퍼듀대학교·나노종합기술원 3개 연구기관이 참여하는 글로벌 협력형 연구개발(R&D) 프로젝트다.
총 17억6700만원 규모로 진행되며, 사업기간은 올해부터 오는 2028년 6월30일까지 3년 간 진행된다. 사전 연구를 통해 과제 타당성 및 성과물을 검토하고 사전연구를 통과하는 과제에 한해 본 연구 과제를 수행하는 프로세스로 진행된다.
아이에스티이는 이번 국책과제를 통해 차세대 3D 패키징 기술의 핵심인 '하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)'에 적합한 고신뢰성 유전체 박막과 최적화된 장비를 개발해 수요기관인 국내 반도체 소자 제조 기업의 제품에 적용하는 것을 목표로 하고 있다.
특히 아이에스티이는 현재 개발 중인 하이브리드 본딩용 PECVD 장비개발 과제를 통해 기존 상용 유전체(SiO2) 경우 물성에 한계가 있어 새로운 유전체의 필요성이 대두하고 있는 점을 확인했다.
또한 새로운 유전체는 저온 공정에서 구현이 가능하고 높은 평탄도와 우수한 본딩 강도를 요구하고 있어 이에 맞는 유전체 개발을 위해, 유전체 박막, 플라즈마 표면 처리, 저온 접합 등에서 세계적인 연구역량을 보유한 미국의 퍼듀대학교와의 협력했다.
아이에스티이와 퍼듀대학교는 하이브리드 본딩용 유전체 박막 및 공정 최적화 조건을 확보하고 개발된 유전체를 제작할 수 있는 설비를 개발해 소자업체에 판매할 계획이다.
진병주 아이에스티이 부사장은 "차세대 고성능 PC(HPC), 인공지능(AI), 서버, 그래픽처리장치(GPU) 등에서 초고속 데이터 전송을 위해 고대역폭메모리(HBM) 수요와 기술이 빠르게 확산되고 있다"며 "현재 엔비디아는 차세대 GPU인 루빈(Rubin)에 HBM4를 탑재하기 위한 테스트를 진행하는 등 적층 반도체의 기술의 고도화가 진행 중"이라고 말했다.
이어 "본딩 인터페이스의 높이 제한으로 차세대 3D 패키징 기술은 하이브리드 본딩 기술이 주목 받고 있다"며 "하이브리드 본딩용 플라스마화학기상증착장치(PECVD) 장비 개발을 하고 있는 아이에스티이가 유수 대학인 퍼듀대학교와 함께 최적의 박막 조건 및 장비를 개발해 국내 소자 업체에 진입하는 것을 목표로 하고 있다"고 덧붙였다.
조창현 아이에스티이 대표이사는 "대기업도 관심을 보일 정도로 향후 매우 매력적인 시장인 하이브리드 본딩 시장에서 당사는 PECVD 장비와 하이브리드 본딩용 유전체 개발을 통해 시장을 선점할 계획"이라며 "현재 후공정용으로 개발 중인 하이브리드 본딩용 PECVD 장비는 미국의 AMAT와 램 리서치와 같은 글로벌 장비 회사만이 개발하고 있다"고 설명했다.
이어 "경쟁이 녹록하지 않겠지만, SK하이닉스 전공정 실리콘 카보나이트라이드(SiCN PECVD) 장비의 레퍼런스와 고객과의 우호적인 협력 관계를 토대로 반드시 시장 진입을 할 것"이라고 첨언했다.
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