[한스경제=고예인 기자] 삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 연구원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.
서울중앙지검 정보기술범죄수사부(안동건 부장검사)는 삼성전자에서 중국 CXMT(창신메모리반도체테크놀로지)로 이직한 전직 연구원 전모(55)씨를 산업기술보호법 위반(국가 핵심기술 국외 유출) 등 혐의로 2일 구속기소 했다고 밝혔다. 검찰은 지난달 14일 법원으로부터 구속영장을 발부받아 전씨의 신병을 확보한 상태다.
전씨는 삼성전자가 약 1조6000억원을 들여 개발한 D램 공정 국가 핵심기술을 부정하게 취득하고 사용한 혐의를 받는다.
전씨는 삼성전자 부장 출신 김모씨와 함께 CXMT로 이직하면서 삼성전자의 기술을 빼돌리고 핵심 인력을 영입하는 방식의 CXMT 내 D램 반도체 개발 계획을 수립하는 등 범행에 핵심 역할을 한 것으로 보고 있다.
전씨는 이에 CXMT로부터 사인온 보너스 3억원과 스톡옵션 3억원 등 약 6년간 29억원 상당을 지급받은 것으로 조사됐다.
이들은 범행이 들통나 출국금지 되거나 체포되면 단체 대화방에 암호(하트 4개·"♡♡♡♡")를 남기기로 사전에 협의하거나 다른 회사로 이직하는 것처럼 위장하는 등 수사에 대비한 것으로 파악됐다.
중국에 전혀 다른 업종의 허위 회사를 만들고 그 회사로 이직하는 것처럼 외관을 꾸민 뒤 실제 근무는 CXMT에서 했다는 게 검찰측 설명이다.
전씨와 함께 범행한 김씨는 지난해 1월 구속기소 돼 1심에서 징역 7년과 벌금 2억원을 선고받았다.
검찰은 삼성전자 내부 자료를 유출한 공범을 국제형사경찰기구(ICAO·인터폴)를 통해 계속 추적 중이다.
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