HBM 분야 협력 강화로 경쟁력 상승
베이스 다이 로직 선단 공정 활용 예정
[아시아타임즈=오승혁 기자] 최태원 SK그룹 회장이 글로벌 최대 반도체 위탁생산(파운드리) 기업 TSMC와 인공지능(AI) 반도체 경쟁력 강화를 위한 협력을 강화하고 나섰다.
최태원 SK그룹 회장(왼쪽)과 웨이저자 TSMC 회장이 지난 6일(현지시간) 대만 타이베이 TSMC 본사에서 회동한 이후 기념 촬영을 하는 모습. (사진=SK그룹)
7일 업계에 따르면 최 회장은 최근 대만에서 TSMC 웨이저자 회장을 비롯한 대만 IT 업계 주요 인사들과 자리해 AI와 반도체 분야 협업에 대해 논의했다. 최 회장은 이 자리에서 고대역폭 메모리(HBM) 분야의 SK하이닉스, TSMC 협력 강화에 힘쓰겠다고 약속했다.
SK하이닉스는 HBM4(6세대 HBM) 개발과 어드밴스드 패키징 기술 역량을 강화를 위해 지난 4월 TSMC와 기술 협력 양해각서를 체결했다. SK하이닉스는 HBM4부터 성능 향상을 위해 '베이스 다이'(Base Die) 생산에 TSMC의 로직 선단 공정을 활용할 예정이다. 회사는 이 협력을 바탕으로 HBM4를 2025년부터 양산할 방침이다.
SK하이닉스가 5세대까지 베이스 다이라고 불리는 HBM 1층 받침대를 비롯한 HBM의 모든 부분을 직접 만들었던 것과 달리 GPU 위에 HBM을 수직으로 올리는 패키징 공법을 도입하는 6세대부터 TSMC와 협업하는 것이다. 이를 통해 GPU, HBM 사이에서 데이터의 전달 속도 및 효율을 높이기 위해 연산을 직접하는 방식으로 진화하는 베이스 다이 관련 기술력도 키운다.
양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS®기술 결합의 최적화와 HBM 관련 고객 요청에 공동 대응할 계획이다. AI 및 반도체 분야에서 고객들의 광범위한 욕구를 충족시킬 수 있는 글로벌 협력 생태계 구축의 중요성이 커지면서 최 회장은 글로벌 협력을 확대하고 있다.
최 회장은 지난해 12월 극자외선(EUV) 노광장비 생산기업인 네덜란드 ASML 본사를 찾아 SK하이닉스와 기술협력 방안(EUV용 수소 가스 재활용 기술 및 차세대 EUV 개발)을 만들었다. 지난 4월에는 미국 새너제이 엔비디아 본사에서 젠슨 황 CEO를 만나 양사 파트너십 강화 방안을 논의했다.
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