한양대·KIST 공동연구팀, 저가 재료 ‘특수 코팅’으로 세계적 수준 양자점 기술 구현

한양대학교 고민재 교수와 한국과학기술연구원(KIST) 유형근 박사 공동연구팀이 저렴한 이산화주석(SnO₂) 소재에 표면 처리 기술을 적용해 성능 한계를 극복하고, 황화납(PbS) 양자점 태양전지의 광전변환효율(PCE)을 세계 최고 수준으로 구현했다고, 18일 밝혔다.

연구팀은 그 원인이 SnO₂ 표면에서 발생하는 양성자(H⁺) 방출로 인한 양자점 표면 리간드 탈락과 납 산화 등 ‘계면 열화 반응’임을 규명했다.

고민재 교수는 “이번 연구는 저렴한 이산화주석을 고성능 양자점 소자에 활용할 수 있는 길을 열었다는 점에서 의미가 크다”며, “페로브스카이트·유기 태양전지는 물론, 양자점 기반 적외선 센서, 광통신 모듈, 라이다 시스템 등 다양한 차세대 광전자 소자에 폭넓게 활용될 수 있다”고 전했다.