[단독] 삼성전자, 6세대 D램 'D1c'개발 성공… 차세대 반도체 경쟁 본격 참전
삼성전자가 10나노급 6세대(D1c) 미세공정을 적용한 D램칩을 개발에 성공했다.
D1c칩은 고대역폭메모리(HBM) 다이(Die) 생산 공정 기술로 활용돼 향후 HBM4 개발에도 탄력을 받는 한편 글로벌 D램 경쟁의 불씨를 당기게 됐다.
30일 업계에 정통한 관계자에 따르면 삼성전자 반도체(DS)부문 메모리사업부는 이날 오후 6세대 D램인 D1c 개발에 성공해 내부적으로 PRA(Production Readiness Approval)를 마쳤다.
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